泰克串行技術(shù)DDR 測試、驗(yàn)證和調(diào)試

DDR 內(nèi)存接口

內(nèi)存技術(shù)繼續(xù)發(fā)展以滿足應(yīng)用要求。新一代技術(shù)如 DDR4 和 LPDDR3 采用更高速率來提升性能、更低的 I/O 電壓來降低功耗，并支持多種外部形狀以滿足不同應(yīng)用需求。

這些因素帶來調(diào)試和驗(yàn)證挑戰(zhàn)，因?yàn)樾枰M(jìn)行大量更加復(fù)雜的新測試來驗(yàn)證和調(diào)試設(shè)備以更緊湊的裕量、更快的邊沿速率和復(fù)雜的總線協(xié)議工作。

泰克提供zui完整的全套工具進(jìn)行內(nèi)存驗(yàn)證和調(diào)試。有關(guān)我們當(dāng)前電氣和邏輯驗(yàn)證解決方案的詳情，敬請?jiān)L問以下應(yīng)用頁面：

• DDR 電氣驗(yàn)證：
  捕捉、測量和鑒定 DDR 內(nèi)存接口信號行為、抖動(dòng)、眼圖大小、串?dāng)_、選通/時(shí)鐘對準(zhǔn)、誤碼。

• DDR 邏輯驗(yàn)證：
  捕獲和測量 DDR 內(nèi)存接口的數(shù)字邏輯狀態(tài)，執(zhí)行總線周期的定時(shí)和協(xié)議分析。
  
   
  
  
• DDR 協(xié)議性能驗(yàn)證：
  捕獲和分析總線命令、控制時(shí)基系列、將結(jié)果與內(nèi)存接口規(guī)范比對，并分析作為總線利用率和性能指標(biāo)的總線流量。